功率器件高温漏电和耐压退化问题

我的问题其实是功率器件相关的，但是找不到合适的版块，就发在IC里面吧。
问题是这样的：
我们做的功率器件，终端为场环+多晶和金属场板结构，钝化层为PSG和氮化硅，经过一段时间的高温反偏后，漏电明显变大，有的耐压会低几百伏，有的经过一段时间放置后，又有恢复。
请问这种耐压退化和漏电问题主要与那些因素有关，是否主要是钝化层不好引起，有什么办法验证和改善?

关注@！@#！

不知小编是指HTGB failure 还是HTRB failure

期待高手

不懂工艺

遇到相同的问题。正常情况下高温都会有漏电增加的情况，但是MOS和DIODE击穿电压是应该增加的，不知小编是否也是IGBT?

不知小编来之于那家公司

1. 小编这个器件是量产的还是正在开发的?
量产中的话，我想可以考虑一下氧化层电荷，污染方面的，开发中的话，就要从设计着手了

量产中的话，我想可以考虑一下氧化层电荷，污染方面的，