请各位大神确诊振晶的负载电容不匹配问题
一只 22.1184MHz 的振晶。直流分量很大,交流分量较小。
一只 25MHz 的振晶。最高电压可达电源电压 1.8V,最低电平接近 0V。
。。我一般都是无脑22p
除非datasheet里给的负载电容值相差很大
减小点儿电容试试
比如晶体手册写,负载电容 18pf
板子上两个电容,就选36pf,容值翻倍
低频振晶可能需要容量大一点的负载电容。
而图中 25MHz 振晶配接的是 30pF 负载电容,却工作得很好。
今天买了 7 种容量的小电容回来。
那些 22.1184MHz 振晶买得早,关于负载电容的记录早已轶失。
拿不准的是集成电路内部振荡电路(一般是非门的输入和输出端)
的寄生电容千差万别。
那只是示意图,实际上几乎没人用反相器都是运放
运放?没搞错吧
能振到几十M的运放可没几个,我知道的也就AD811之类
靠,跟老夫一样啊
对22pF有感情
此话严重脱离现实。
参见 74HCU04 的 datasheet。
能如此简单搞定几十兆赫的振荡器,又何必去做运放?
74HCU04,廉价的振荡器非门。
74vhc/ahc/lvc之类,都是上百兆的水平,有的能到200M
攻城湿们,别跟自己过不去了,放心点都用硅振荡器吧
成本成本,老板们把攻城湿们的成本也弄得越来越低了
你要说74那种老古董是有可能
但是现在的芯片里,基本没人这么干,复杂自有复杂的道理
大家讨论的是无源晶振啊。
有源的也没有必要关心里面是MEMS的,还是晶体切割的,哪个便宜用哪个。
特殊要求的除外。
几十兆赫的振晶,没必要用那么高档的,太贵了。
74HCU04 里面集成了六个 CMOS 非门,每个非门
仅两只场管,足够用了。
不知柴米贵呀。
如今最便宜的 STM32 已经跌破 10 块钱人民币,
而国产的 GD32 还在往下砸出更低价。
单片机里若是集成个运放作为振荡器,
设计成本、制造成本如何承受的了呀?
只是作为时钟源的话用一个门的74LVC/AHC/VHC1G04就行了
都是数字电路,和运放的工艺也不兼容啊
不过现在也有集成运放的MCU了。。
如今许多运放(甚至可能是大多数)是用场管制作的,
与数字电路工艺兼容,只是要占硅片面积了。