问个散热的问题
按照手册写的性能，连续电流最大180A，
导通电阻只有1m欧这个级别，
我用它过24V/2A的连续电流，原本以为没问题的，所以也没加散热，结果跑了一会儿就
冒烟了...
关掉之后马上用热相仪看，残留温度还有150度...
但管子确实是在正常工作的，能正常导通和关断。
我以为是管子问题，又换了一只上去。这次在上之前先做了一系列测试，
确认管子好的能开关，测量导通电阻是1.33m欧，导通无压降(压降0.00v），加上了一
片0.1mm厚，4cm^2的铜片加强散热。方便期间V_GS用的和V_DS一样的电压，都是24V。
负载是10欧左右的电热丝，纯阻性。
然后测试观察升温依然很快，到100度还在升，我就关掉了。
问题是，这个发热量是正常的么...如果是正常的，这个热量是哪里来的？只是1.33m
欧的R_DS，2A电流就能产生这么大的热量？
另外如果要过2A这么点电流...不用继电器，低发热的方案有哪些...因为这部分电路
要放在真空环境下，加散热片效果会比较差～
最大Vgs 20v，你用24v确定不会有问题么。。
栅极有电流？
栅极可以被打穿
别忘记了是，栅极只是比冈本还薄的一层膜
absolute max我记得有30V呢...
主要是为了测试方便....第一次烧掉的系统用的是17V。
第二次测试其实我是从12V档位开始，看着热相仪1V一次的加到24V的，
在低于20V的时候发热也是很显著的。
测试Rds的时候栅极上到24V，无电流，应该不是这个问题。
电阻丝接漏极还是源极？
测试Rds是Id电流小，实际使用时Id大，工作状态不一样。手册中Vgs限±20V。
没有吧。。我看了下datasheet，是max ±20v
看下栅极驱动波形?
VCC-> D -> S -> 电阻 -> GND
+--> G
这个是测试版本的最简接法....
工作系统里面G到GND还加了个下拉电阻，而且G上电压肯定小于20V。
这种接法不能保证Vds最小。Vd=Vg=24V Vds=Vgs=Vt(开启电压） 功耗Vds*Id会很大。
换接法：VCC-电阻-D S-GND
你这么接，栅极驱动需要有单独隔离电源供电吧，用起来很麻烦的
好吧，那我再测试下，
但工作系统里面Vgs是单独的设备提供的信号源，电压17V，无大电流能力。
在Vds=24V的情况下还是很快就过热了，我觉得应该不太可能是栅极漏电导致的。
不过也许工作状态下确实有很多地方不一样，我再测测工作情况下的Rds看看。
因为本来就是实验性质的，用各种模块搭起来系统...
这里面3个开关电源，我都烦死了...
thanks～
我马上去试试看～
看器件的转移特性曲线，Vt约2.8V，2A电流，功耗5.6W，热阻62|42K/W,
温升347|235K，允许最高结温175℃，所以不加足够的散热片肯定会烧。
你说的很有道理～果然就是这个问题～
把电阻接在前面，降低了mos管上承受的电压之后就好了...
24V/2A情况下测不出温升...
但是还是再多问问，从功率的角度来说，在24V/2A的情况下管子的确是承受了更大的功
率。
但从发热的角度来说，发热应该只跟Rds上的电流有关吧？
还是说不同Vds电压相同Ids的情况下，Rds其实也是有较大幅度变化的？
2A不可能出问题啊，没完全导通？
VGS 24V会击穿么？
再就是180A是良好散热条件下的，实际工作得按它的热阻数据结合散热情况计算电流吧
对，180A肯定需要良好散热...但我这里只是过2A嘛...
而且不太容易做好散热，所以就找了个尽量overkill的管子...
即使MOS放在上面，正常导通应该不会有问题的（无刷电机驱动都是这么接的，三个上桥臂由三个隔离电源供电），还是怀疑你的电路有问题，导通状态实际不好，比如vgs驱动隔离电源的线接的不对，或者vgs有震荡等，所以想让你测下vgs的波形。。
就用最一般的大路货呗，IRF530， IRFZ44N之类
我忽然明白了...
把电阻放下面会抬高Vs端电位，导致Vgs其实很小。
测试环境和工作环境的结果都一样，因为工作环境下的Vg虽然是隔离独立的电源，但gnd
点我还是定错了...所以实际上和非隔离的效果一样...
一个弱智错误...
典型的NMOS高端驱动问题
LV老弟，
你那种接法，其实不就是射随器么
你不厚道。前面列出1.33mO/0.00V，想不到后面一个值不是实测的。
嗯，这个HW PV不合格，
建议绩效考核差评，取消16年加薪资格。
不是不厚道，而是我电路上的错误导致这些值都没意义。
但既然我不知道我的错在哪里，我自然也说不出关键点啊...
一般标的最大电流都是理想散热情况下，比如和散热器充分接触，散热器无限大，但实际情况下散热条件有限，根据结温算下来，经常到不了标称电流的十分之一就到极限温度了
厄，你这 VGS=VDS啊，想VDS低，开启电压显然不够。