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4年艰苦攻关 中国22纳米半导体工艺获重大突破zz

时间:12-12 整理:3721RD 点击:
    中科院微电子研究所通过4年艰苦攻关,在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上
实现了重要突破,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米
栅长MOSFETs,器件性能良好。到目前为止,全球也只有英特尔公司在22纳米技术代实现了
大规模生产。

大规模生产了再说

顶多算是看明白进口设备说明书了。
做一个样品,和能生产,差了十万八千里。

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