P-MOS开关控制20V以上电压问题已经解决
时间:12-12
整理:3721RD
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看见合集想起来汇报一下。
先一下大家给我的帮助,虽然没有直接解决问题但是获得了不少信息,学到了不少相关的东西。
解决方法其实也是一点就穿:专门有一类高压栅极驱动芯片,比如IR2010等,内置电平平移(讨论到一多半已经想到了用分立器件搭的方案,所以看了该芯片内部结构还挺有成就感),将栅极控制电压由ttl驱动成高电平30V,低电平15V(举例),就可以用来控制30V的源级电压,而不担心VGS<-20V了。
最后还有一点不吐不快:对于新手真的不要动不动就叫去翻书,教材,教材和工程实用有距离,这个距离是需要点拨的。就像这个VGS,我看的书上就没有说过实际上的P-MOS有这个限制,如果要控制大于20V的电压应该怎么办。
先一下大家给我的帮助,虽然没有直接解决问题但是获得了不少信息,学到了不少相关的东西。
解决方法其实也是一点就穿:专门有一类高压栅极驱动芯片,比如IR2010等,内置电平平移(讨论到一多半已经想到了用分立器件搭的方案,所以看了该芯片内部结构还挺有成就感),将栅极控制电压由ttl驱动成高电平30V,低电平15V(举例),就可以用来控制30V的源级电压,而不担心VGS<-20V了。
最后还有一点不吐不快:对于新手真的不要动不动就叫去翻书,教材,教材和工程实用有距离,这个距离是需要点拨的。就像这个VGS,我看的书上就没有说过实际上的P-MOS有这个限制,如果要控制大于20V的电压应该怎么办。
gxgx
很好,欢迎反馈
对自己和当初给过帮助的人都是一个很好的学习机会