IGBT应用的几个小问题（有图）

以前用IGBT只注意了一些额定常数，昨天在细看datasheet有几个问题问下图1是某IGBT的
输出特性（SGP10N60RUFD），Ic最大电流16A @T=25度，看下面这个输出特性，当Vge=15V
时，Ic=16A还工作在线性区，这是为什么，igbt应该工作在饱和区啊？另外在实际电路中
Ic应该由负载决定，是不是继而Vce此时也已被确定？图2，3是另两款igbt为什么最大电流
都在线性区？

Vge=15V.Ic=16A这个时候，并不是放大区，而是饱和区，MOS管类型的叫可变电阻区
平着台阶那个部分，对于晶体管叫放大区，对MOS叫恒流区
我想你可能理解错概念了

对，igbt正常应该工作在平台的那个区，为什么datasheet额定值显示他工作在斜线那一
段？

工作在平台，你是要用igbt煎鸡蛋？

昨天仔细看了下文献，确实igbt饱和区与mosfet饱和区是反的，与GTR是一样的，不好意思
啊

所以我说你理解错了。。。

还是觉得你没理解对。。。

几个管子的不同区有好几个名字，比如IGBT的饱和区，MOSFT有叫非饱和区的，线性区的
（linear reg，Triode），GTR也叫饱和区，再比如IGBT的有源区（也叫非饱和区），
MOSFET叫饱和去，横流区(Saturation reg,active reg)，GTR叫放大区。
主要参考：power electronics handbook，还有mohan的那本书
另外中文王兆安，赵良炳，陈坚

不管哪个区，他也不该工作在平台啊
如果他工作在平台，那随着Vce电压的升高，Ic就不变，IGBT是不可能这么工作的！

是不应该工作在平台，因为以前只记得工作在哪个区，基础不扎实啊