DDR内存控制器的 SDRAM Drive Strength
时间:12-12
整理:3721RD
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今天看到一个芯片的demo设计原理图,很是费解!通常情况下,DDR颗粒需要对所有的数据
线、地址线、控制线通过电阻上拉到VTT,然后数据线上要串接一个电阻。但是我看到demo
设计原理图上这些个串接电阻和上拉到VTT的都没有去做,但是demo板也工作很正常,不过
板子的DDR数据是266,即时钟是133MHz。
后仔细看了芯片的说明书,在DDR接口上有一个特征叫做 SDRAM Drive Strength,默认芯
片开启了这个特征。难道是因为这个的原因不要加那些个串接和上拉电阻吗?
多谢指教!
线、地址线、控制线通过电阻上拉到VTT,然后数据线上要串接一个电阻。但是我看到demo
设计原理图上这些个串接电阻和上拉到VTT的都没有去做,但是demo板也工作很正常,不过
板子的DDR数据是266,即时钟是133MHz。
后仔细看了芯片的说明书,在DDR接口上有一个特征叫做 SDRAM Drive Strength,默认芯
片开启了这个特征。难道是因为这个的原因不要加那些个串接和上拉电阻吗?
多谢指教!
ddr?ddr2?ddr3?好像我们以前DDR2什么都不接。
这个是有线距和片子数量的限制的,可仿真得出。
多见于有成本要求,颗粒数量少的应用。
这个只是对回读的。
那个是对ddr的信号的匹配 按ddr的规范做比较稳妥一些