关于MOSFET的发热

不同的电路中，各个因素所起作用的比例是不同的
如果要进一步分析的话，你需要详细说明你的电路参数

上示波器, 看栅极波形就知道了

开通损耗看你的开关环境，软开关的就好很多，积分公式一算就出来了
导通损耗和流过的电流，管子的Rdson相关，一个I^2*R计算出来
一比较，谁主要谁次要不就一目了然
哪方面主要就看你应用环境
相当容易的计算

你的通态电流比较大，肯定是导通损耗大
mos开关的上升下降时间慢，肯定是开关损耗大
当然，通态压降还和你的驱动电压有关系