请教EEPROM设计高手
同问，请问小编的问题解决了吗?
小编的理解没错，看各端口电压就可以了。charge pump要加一个负载。
谢谢您的回复，但是我还想请教你一下，如何仿真擦或者写操作，是否将存储单元去除才能仿真呢?
是的，一般cell没有擦除用的model，仿真时不用加 cell array
请问single poly EEPROM 的CELL单元的读写操作应该如何仿真?这种结构的CELL单元是用两个电容连接在一起，比如将两个PMOS管以电容方式相接，两个管子的栅端相连，来模仿浮栅结构。
但不知道这种结构怎么去仿真它的读写操作?
期待问题解决，，，
这种cell没有用过，其实也没见过。我想提供这种cell的技术方应该要提供写cell时其相应的端口需求吧，真正去建模型还是比较困难的；读取的模型应该好建一些，没有模型至少有电参数，SA电路通常是和reference cell去比的，模型不准问题不大。
谢谢你的回答。因为这种以两个电容连接方式的mos管模仿浮栅管，可以用标准的cmos工艺实现，可以节约成本。有文献报道过这种结构的EEPROM，但都没有讲这种CELL在相应的端口上加多大电压进行读写操作的模拟仿真。所以很困惑。
我猜想你所描述的是一种标准逻辑工艺下实现的NVM，比如chings 的 MTP。理论上的确可以实现，因为它兼容标准工艺，流片成本低，所以有它的应用市场。可一方面它的性能往往没有真正的EEPROM或eFlash好，另一方面单元面积比较大，容量大一些时就并不合算了。所以目前的应用并不广泛。
这种cell的擦写电压和擦写后cell的特性，要去作实验尝试。一般情况下擦写电压要大于7V，擦写时间会比较长（数十毫秒数量级以上），这导致它受限于工艺的击穿电压，不是每个标准工艺上都可以调试成功的。
paper上讲原理比较简单，可实际上工程上真正作出来不是件容易的事。
那这种基于标准CMOS工艺的NVM只能根据工艺估计擦写电压，流片过后再进行验证了?
请问国内除了SIMC，其他哪些公司能提供.18um的MTP（或EEPROM）工艺的PDK?（就目前了解的情况看，华润上华无此工艺的MTP工艺，TSMC只提供IP，不提供PDK）
如果没有相关的数据(database)，那只能通过流片去尝试了，当然，paper给出的数据和公式可以作参考。
这个东西，如果在学校或者研究所做做研究还可以，工程界就不要去玩了，折腾好久，也赚不了钱。
如果用现成的，直接向foundry的销售打听就可以了。
哪个foundry能作，我不清楚。
shou jiao le
现在都是卖IP,PDK很少了吧~
verilog-A
请高手赐教，现在芯片流片回来测试有问题，电荷泵高压泵不上去，并且外供高压耶供不进去，不知道哪里出了问题?感觉耶没有到底的泄放通路啊?
学习了。
breakdown了吧
电荷泵的输出只能输出9V，要是breskdown的话电荷泵应该不会有高压输出而是直接降为0.此外高压输出采用的普通模拟PAD,是不是一般高压输出PAD需要单独画而不是直接调用库里的PAD呢?
说说你的电荷泵结构? Dickson? 电荷泵驱动时钟的频率是多少? 电荷泵输入电压多少哦，负载电容多大?
求教可以25AA系列EEPROM的读写程序发一个啊啊?
嗯，这个问题问得好
Why not use verilogA for building the EEPROM cell BHV model.
Then you can get a loop, erase, write and read back.
同惑，求解
最近也看了一些文献中提到的single poly EEPROM ，有个问题请教一下：
single poly 的EEPROM单元没法仿真，只能流片之后来测试，是吗?
我想请问一下，现在的IP怎么提供的，比如说串行，并行，要不要自己再去设计电荷泵，还是直接提供了一个具有像芯片一样功能的。小弟刚接触，很多不懂！
Flash 存储都属于 NVM吧
learing ！
楼上各位高手 读写电路，尤其是CG 控制 可否给各电路参考 。