大家在仿真中如何计算比较器的offset的

这个东西从理论上来计算似乎不太容易啊，这好像是工艺偏差引起的吧?这个只能流片以后再测了

多流片 多测试

可以 run MonteCarlo仿真得到
1# morrisgu

这篇文章不错~

学习！

对啊 仿真出来的失调电压  只有几百微，我觉得我的仿真方法还算正确，但是这个失调电压也太小了吧
有些资料上说的的 用仿真工具是实现不了对失调电压的仿真的，
那么我们怎么做呢?求解答
像楼上说的 流片后测试么?
那如果是一个通用芯片不是专门比较器，那怎么测试
而且有不止一种比较器，那那岂不是要加很多测试电路?不可行吧?

thanks for share

做post_layout sim 就可以仿出来很多了

circuit sim 是 symetic offset ..
layout & process  ranom offset sim 不出來 .
一般 0.5um 5v  一般不特別做 offset 約 ~10mv .. Hiv 40v cmos 是幾百 mV
..
要降低 得 W/L  比接近到 1:1  且 W*L >> 某些值 ,  Fab 都會提供
但是 ,如果是  lcd driver 須很多 op 要求 match , 除了 layout  match 外 .
電路會須加上  auto_zero or chopper 方式 ..
每個 die 自己會 算 offset 在 compensation 回去 ..相關好像有專利 .

Same as the offset of an amplifier. You should have AL number from Fab, which can be plugged into the Pelgrom rule to estimate the offset depends on your device size.

一般都用montecarlo吧
工艺库必须支持process variation和mismatch

   请问工艺库的mismatch 怎么调用 具体怎么实现呢

仿真中如何计算比较器的offset

Need right spice models for monte carlo simulation.

用蒙特卡洛仿真，可以考虑随机工艺误差的

那那岂不是要加很多测试电路

不是啊，在比较器后面加一个理想比较器和D触发器，你在论坛里面搜一下，有蒙特卡洛仿真教程的

   同问? 请问您解决这个问题了么? 谢谢~

run MonteCarlo仿真得到

foundry 通常需提供 device 的 mismatch model,
依據 mismatch model 做 monte carol simulation 就可以得到 offset voltage