标准CMOS工艺下各个区域的掺杂浓度是多少

在标准N阱CMOS工艺中衬底、阱区，n有源区、p有源区的掺杂浓度分别是多少?不同制程的会有不同吗，比如0.13um和0.35um的大概是多少?想知道NMOS和PMOS的漏、栅、源及衬底的掺杂浓度。该在哪里查，在pdk里面没有看到。谢谢！

同问！小编知道答案了吗?

   不知道，只看到工艺书中提到是差三个数量级

同问，有谁知道吗?

這是各家Foundries才會知道的資料, 不可能提供給Design House的, 就算有,  也只是粗略的, 詳細的資料是機密, 一般如有提供粗略的會放在process flow項目中