CMOS反相器的设计
噪声容限的指标?
hehe
我也在搞这个啊!我们加油啊!
这个需要很难吗
good very much
不错
不错 不错 不错
一般情况下,为了使得噪声容限达到1/2VDD可选择pmos的宽长比为nmos的两倍!具体设多少则根据要求定了,宽长比大的话寄生电容就大,速度就会慢!
不是一个PMOS和一个NMOS串联吗,我也是初学。
这个更专业哦!
事情做起来都很难
我的想法是将反相器输入输出短接,看输出电压,应该是达到电源电压的一半为比较好的尺寸比,关于他的输入和输出电容,从原理上看应该是尺寸越小越好!
不知道大家是否同意我的意见
很简单
你没有学过CMOS数字电路吗,这是一个折中问题,看你主要是希望哪方面的性能最需要满足
o,my god!, is in series rather than parallel.
书上讲的好象比较详细的啊,反相器是最基础的.
thank you
晕了,别忘记模拟的8边形法则就是了
用foudry的就可以了
顶1
这个问题都拿出来讨论。无语了。
你可以在实验室做仿真,然后根据你的最想优化的一方面设计反相器,不断的调试,
我做电路都是这样,算出来的不一定适用
hehe 恩 一般pmos的宽长比是nmos的2——3倍 不过这也不一定 要看你需要了 而且你也可以用仿真软件模拟的 这很管用
要求能具体的吗?
如果只是普通的要求,反相器书上到处都是呀
请教各位,CMOS放大器的设计,及各项参数如何实现.
大家一道学习
一般取pmos的宽长比是nmos的2倍
下了,谢谢LZ
cmos
延迟时间的设计具有较高的优先级,取决于W/L。
根据W/L算出噪声容限。
CMOS反相器功耗具有低功耗特性。
原理图是简单,但是如果实际用就不那么简单了,会考虑很多因素,
根据上升时间和下降时间计算宽长比,具体公式书上有,然后其他的就号解决了
