模拟电路设计——mos开关使能
时间：10-02
整理：3721RD
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用180nm的体硅工艺，如何用模拟MOS开关关断负电位和高于电源电压的信号通路，开关使能如何实现?大侠们给个方向，深井工艺除外。
顶一下。
搞不懂
搞不懂sa
更大的电压