微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > 硬件电路设计讨论 > 关于高精度、第失调运放的设计

关于高精度、第失调运放的设计

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
现在想做一个小设计关于高精度、低失调运放的,有几个问题想向论坛里的大神们请教一下:
    1.高精度、低失调运放必须要用双极型吗?Mos管可不可以?(题目里是这样写的,以前做过的设计大部分是mos管)
    2.主要考虑的参数有哪些?这些参数在电路中主要受哪些控制?
    3.可以采取的结构有哪些?
    4.如果是一个简单的二、三阶运放,参数一般在什么水平?好一点可以达到什么水平?
    寻求大家帮忙,感激不尽。

自己顶一下。希望被人看到。

特别是低失调的,一般都是用双极的,不然设计就麻烦大了


为什么说   不用双极型就很麻烦。?   
在别的网上问过,有回答 大多数输入是JFET,现在越来越困惑了。怎么又有JFET?
最开始看的论文设计使用超β管,就是我说双极型输入,这是第三代运放的技术,有没有什么办法查到运放的内部电路?
谢谢帮忙啊。不胜感激

用显微镜有人看过内部电路。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top