版图多电源问题求助

大神们好！    小弟遇到多电源问题，在版图中使用深N阱隔离，但是加深N阱后后仿带隙基准起振，去掉就正常。我现在将深N阱包围的地方用PUSB2标识层换掉，LVS和后仿真正常。
   请问大神们这样可不可以?我们用的是tsmc工艺！
    非常感谢大家能帮帮我！

期待回复

LVS正常和后仿真正常应该不是一回事儿吧。
请问用的是TSMC哪个工艺，在TSMC有的工艺PDK里，DNW NMOS是单独一种类型的，如果电路直接用NMOS而版图用DNW，LVS是不会对的。简单说就是说版图电路应该用同一种类型的器件。