关于LDO的设计前仿问题请教！

1.下图是LDO前仿中，PM（Y轴）和Iout（X轴）之间关系

2. 请教的问题为：图中3mA左右，相位裕度只有43。若工艺，温度等影响，会不会致使在流片出来的LDO芯片，测试时在此电流附近不稳定?

1、瞬态如何啊 PM这么大?
2、怎么补偿的得到这么个关系——轻载、重载时PM这么大

菜鸟学习中，

    1.瞬态情况为：下冲6mv和上冲在10mv，响应时间在20us，条件是电流由0变到200mA，再由200mA变为0.输入3.3V，输出1.8V。
   2.补偿有点复杂，使用了两个内部补偿电容，还有一个反馈网络（减少中间有一级的输出电阻）。

路过围观啊，呵呵