微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > 硬件电路设计讨论 > DRAM 中 DDR 1/2/3/4 波形差多少 ? 關係還有電壓各多少?

DRAM 中 DDR 1/2/3/4 波形差多少 ? 關係還有電壓各多少?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
一般 SDRAM => DDR 變 double clock .
是否目前 DDR2 DDR3  DDR4  差異都是CLOCK 速度 和 burst 區塊大小?
有一說 DDR1 可以 2 4 8 .  burst length
DDR  184Pin   swing level 2.5v  => 一般還須要 terminator 穩壓嗎?
DDR2  4 & 8    240Pins    swing level =1.8v
是DDR SDRAM(雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體)的後繼
DR和DDR2的關鍵區別是:DDR2內存單元的核心頻率是等效頻率的1/4(而不是1/2)。這需要一個4-bit-deep的預取佇列,在並不用改變內存單元本身的情況下,DDR2能有效地達到DDR資料傳輸速度的兩倍
DDR2的等效頻率由於電力介面的改進(包括on-die termination, prefetch buffers 和 off-chip drivers)而大增
=> 有人能說明下. 到底 DDR2  DDR3   更多快?
  為何說和  pre fetch buffer 有關?

DDR2  667 => 667M clock
DDR3  只有 8 burst ..
DDR3 800 ~ 1033 ~1ˊ00Mhz   使用了SSTL 15的I/O介面  1.5v  也有一說有 1.35v 低壓版本
 記憶體最大容量為2G;每秒處理資料量為12800MB/S.
https://zh.wikipedia.org/wiki/DDR3_SDRAM
是DDR2 SDRAM(四倍資料率同步動態隨機存取記憶體)的後繼者(增加至八倍),也是現時流行的記憶體產品。
==> 這說法是說同 clock  DDR3 = 2x DDR2 嗎?  罷不就是
   還是說因此 DDR3  clock 會比先前 DDR2  更快,  

一般DDR3-1333標準電壓是1.5V,1600通常得要1.65V
 
那 DDR4   記憶體最小容量為4G;每秒處理資料量至少為17064MB/S.
clock 變快那電壓 swing level  多高 僅有1.2V  
有一說 DDR4 分為兩類不相容 single end , differential 傳輸方式
Burst length of 8 and burst chop of 4
DDR4腳位變更為284pin

DDR 會類似 USB 有做 data / clock recovery 嗎?  DDR5   ?
Graphics Double Data Rate  GDDR ..和PC  DDR 差在那邊?

Reduced-latency Dynamic random access memory (RLDRAM)
RLDRAM是专为解决延迟问题而设计

RLDRAM 2
RLDRAM 3

還有種 QDR   Quad Data Rate (QDR) SRAM
上一篇:采样保持问题
下一篇:求助:LDO抖动

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top