谁会简单分压电路的设计？

最近最一个项目，需要给一个NMOS的gate端提供大约3/4的Vcc电压，（也就是说，如果Vcc为0.9v，那么需要分压得到大约0.675的电压，如果是0.54v，那就分压得到400mv）。
我用了dio连接的NMOS堆叠起来作分压，但是发现在个别的corner分压有偏差，
具体情况是，如果我把length设置的接近最小长度，分压结果在各corner变化不大，但是这样做的话DC电流太大，功耗太大，为了减小current，我增大length，发现电流得到了有效的减小，得到了我满意可以接受的大小，但此时发现不同corner的分压结果不一样了，具体是在-40°C的时候分压结果会明显低于相同Vcc下的其他corner。
如图所示：

有没有哪位能帮我分析下原因，或者提供一个更可靠的分压的方法，谢谢！
procecc是28nmHKMG

靠VCC端的nmos除外,其餘nmos的gate端應接到VCC.

    电阻分压

谢谢！ 我试试看

也想过，不过没有合适电阻，阻值不够大

是所有的NMOS gate都接到VCC吗? 试了下不行

学习论，呵呵呵呵呵呵

网络太差了，打不开图片，我一般采取电阻分压

試試電阻分壓囉,簡單的作法