如何通过仿真单管本征增益来确定基本工艺参数
时间:10-02
整理:3721RD
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如何通过仿真单管本征增益来确定基本工艺参数我现在正在做带隙基准的论文,由于不知道器件的主要电路参数,需要进行手工推导:
请问如何通过仿真单管nmos_3p3、pmos_3p3的本征增益,仿真条件为W/L=9u/2u,电流源Id=25uA,过驱动电压为0.2V,怎样得到它的沟道长度调制系数Lambda和unCox、upCox。求答案,先谢下
这是在看别人的帖子发现自己也有这样的疑问,用cadence spectre 工具 试了下但是怎么还是得手算,怎么可以得到一个直接的点的答案呢?
请问如何通过仿真单管nmos_3p3、pmos_3p3的本征增益,仿真条件为W/L=9u/2u,电流源Id=25uA,过驱动电压为0.2V,怎样得到它的沟道长度调制系数Lambda和unCox、upCox。求答案,先谢下
这是在看别人的帖子发现自己也有这样的疑问,用cadence spectre 工具 试了下但是怎么还是得手算,怎么可以得到一个直接的点的答案呢?
没人回答我
