最近在读拉扎为的《模拟CMOS电路设计》，有不解，请教高人问题。

最近在读拉扎为的《模拟CMOS电路设计》，有句话不理解，请大家给解释解释。
大多数CMOS工艺中， pMOS期间做在N well中，注意N well必须接一定的电位，一边pMOS的源/漏结二极管在任何情况下都能保持反偏?

请问
1，为什么是pMOS器件大多数做在N well中? 而不是nMOS做在Pwell中呢?有什么优点吗?
2，N well接电位后，为何可以使pMOS 的源/漏结二极管保持反偏呢?

这些问题问的，

呵呵，谢谢小编的分享

呵呵，最基本的问题，应该找本基础的书来看看，PN结，沟道什么的

建议看看有关工艺的书看看

回答小编的两个问题；
1。第一个问题我想应该是和制造相关的问题，考虑到扩散，离子注入等问题，在P衬底中做N阱相比N衬底中作P阱有优点吧。
2。N阱接点位是为了使衬底与源漏间保持反偏，以确保衬底内无寄生电流。

一般晶圆用P型衬底，Pmos用nwell，n阱一般接高电位，所以PMOS的源漏的PN结是反偏的。

    讨论让大家进步呀。呵呵

这个问题是工艺的问题,肯定是经过实践检验出来的真理,第二个问题,这个比较基础！

其實樓主問的問題真的很難讓我理解，不知可否是這樣回答
1.Pmos做在Nwell與nmos做在Pwell中都是可以的！并不是說為什么，
2.關于給Nwell加一定的電壓，為什么可以保持偏置，其實看看工藝就應該明白的，Nwell接觸的應該是P溝道，這就是PN結的問題了
不知能否明白

有道理。

怎么觉得应该是工艺的问题呢.

学习了

都是工艺方面的问题

工艺问题了