有关三极管的若干问题

三极管的放大机制是什么?我找了多本书，说的都不好理解，Ic=hfe*Ib我知道，可为什么?发射结正偏似乎只能将少量载流子引入基区，这少量载流子还要被复合。问题是发射结为什么能将大量载流子引入基区?公式如何得到，能不能讲的通俗些，量子力学我不懂
还有单三极管的四种负反馈电路一般的书只有两种，其他似乎在老书上见过，但找不到了。希望有人能提供，本人非常感谢。

[求助]有关三极管的若干问题
建议你看下《电子线路》__线性部分（第四版），谢嘉奎编的

因为工作在放大区时，是发射结正偏，集电结反偏。发射区的掺杂浓度很高，就保证了发射结正偏时，绝大多数多子扩散到了基区，基区的掺杂浓度很低而且很薄，所以在基区的复合很少。集电结是反偏的，就使得基区的少子也就是电子绝大多数漂移到了集电区，这样就实现了电流的放大

电子科技大学出版的《模拟电路基础》对三极管的原理讲得比较清楚。
在三极管的放大特性原理中，要注意反偏在电场的作用，建议可以先去了解一下雪崩击穿原理，联合起来考虑对于理解电流放大作用可能会有所帮助

The art of Electronics _ 2nd ,
Recommand to read it！

“发射结正偏似乎只能将少量载流子引入基区，...”
发射结正偏能将大量载流子引入base,关键是复合的只占很少一部分，复合掉这部分就基本等于IB，剩余未符合的载流子被CB电场扫入集电极形成IC，所以 IC=Beta*Ib，这就是放大的机制.
建议小编看看半导体器件知识。

实际上，搞工程只要知道外部特性就可以了