求解半导体工艺简称

1）LOCOS :   Local oxidation of silicon,区域硅氧化法，是一种隔离技术。
2) oxide dielectric   : Oxide dielectric，氧化物电介质?不确定，似乎是这么解释。
3) TEOS spacer  ： TEOS是四乙基原硅酸盐或者正硅酸乙酯 ； spacer主要是用来隔离源极(漏极)与栅极,并且可以保护栅极
4) IMD ： Inter-Metal- Dielectric，内部金属绝缘层
5) CMP ： chemical and mechanical polish，是半导体制程中用于平坦化的工艺
未必准确，仅供参考  ：）

学习了

谢谢！

in CMOS, "oxide" means silicon dioxide.
silicon dioxide is a kind of "dielectric".
"oxide dielectric" just means silicon dioxide, but with emphasis on its dielectric properties.