请教论坛兄弟姐妹们一个问题！

我们公司出的一个芯片，其中的一个模拟定制模块有一个大电流的NMOS管，工作时峰值电流为200mA左右，工作频率只有38KHz，而且导通时间为周期的1/3，现在测试发现电源电压高于2.7v芯片就可以正常工作，低于2.7v就不工作，输出只有高电平，好像该NMOS没导通似的。我们测试芯片的其他功能好像还在工作。此外我们刚好有一个版本把该
MOS管的开关信号引出来了，不过该版本没有集成大的NMOS管，是用的外部分立元件搭的，我们也有一个内置收发电路的测试芯片，将开关信号加到测试芯片的收发电路上，可以工作到2.1v左右，这其实就是我们要实现的范围。请问一下这个主要是什么原因?版图上如何隔离P-sub，N Well工艺下的NMOS管?

感觉好深奥，我们用的时候只考虑管子的耐压与耐流

如果内部的驱动不可以，而外部的驱动可以。感觉驱动电路的源阻抗有很大区别，希望你确认一下。
对于内部电路不能驱动的问题，你在开关处外加一个对地高阻抗的电阻，看是否可以。

不知道

感谢回复！
谢谢liqiangln小编的回复和大家的关注，我也认为有前级电路驱动能力不够的问题，此外我们觉得大电流导致局部衬底电位抬升导致NMOS开关不能正常导通，这次我适当降低了电流，我们还对该大电流NMOS开关单独加了一个地PAD，加快对衬底的放电，以降低衬底电位的抬升。现在IC已经出去了，感觉问题差不多能解决，呵呵，不过还要等芯片实测了才能下绝对的结论！

LZ能把解决的方案贴上来，非常好。 谢谢！