求教适合测IGBT工作电压的电路（附图了）

测量IGBT和Power MOSFET的集电极-发射极工作电压的困难在于：当IGBT截止时，管子承受的是很高的电源电压（比如200V）。当管子导通时，管子的导通电压很小，一般只有大约2V左右。所以如果要想实时监测管子导通时的工作电压，就要过滤去管子截止时的高电压，我在网上查找到图片中的两个电路，不知道哪个更好?也不知道有没有更加准确和科学地方法，还请各位潜水大侠不吝赐教。请您说的浅显些，具体些。谢谢您的关注了！（附图在附件里面）

2个测Vce的电路

1似乎好点,因为2要把2V的电压变成合适于ADC的电压,在200V时OP必将饱和,也许超出ADC的范围

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您写的抬好了 我很喜欢！兄弟们 顶了！  

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恩，学习了，1比较不错