求助:请lyfztz进来~~~~~~~~~~~~~~大家是否对.35工艺各层间sio2的厚度有了解啊?
时间:10-02
整理:3721RD
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如题,在设计中需要引入大电压(>10),所以需要考虑PAD的容限和各层sio2厚度以防止击穿。
如果大家对PAD容限有一定了解的也请不吝赐教。
谢谢
我的问题是在.35um工艺的芯片中需要引入大电压(10V左右),但是按照工艺PAD被ESD保护钳位在了5V,即输入内部的电压大小只能达到5V,请问怎样才能使其通过10V的电压?然后引入的高电压(10V左右)是否有可能击穿PAD和芯片内各层金属间的隔离层(sio2)呢?
如果大家对PAD容限有一定了解的也请不吝赐教。
谢谢
我的问题是在.35um工艺的芯片中需要引入大电压(10V左右),但是按照工艺PAD被ESD保护钳位在了5V,即输入内部的电压大小只能达到5V,请问怎样才能使其通过10V的电压?然后引入的高电压(10V左右)是否有可能击穿PAD和芯片内各层金属间的隔离层(sio2)呢?
这个可以咨询PIE工程师
PIE是什么啊?
能否介绍下?
继续召唤嘿嘿
en ~
太感谢了已经解决了我所关心的东西
