手算与仿真的差距多大可以接受？

用 tsmc bsim3v3 0.6um cmos 模型 ，低频应用，手工计算 和 仿真的结果 对比，差异多大是正常的、可接受的?
10%?  20%  或 更大?
亚微米级，Id 和 Vgs 已经不成 平方关系，，还是用  
Id=1/2CoxUnW/L(Vgs-Vth)(Vgs-Vth)*(1+lambda*Vds).  计算吗?
还有别的 计算方法 吗?
谢谢！