由5G WIFI模块中的PA引出的一系列问题

大家好，初次发帖，望解惑。谢谢！ 最近用一个5G WIFI模块，在5180到5885MHz的频段内分了三个段对应三个PA，可是感觉不是很好，单模块一致性不好不说，上到板子上，调匹配的话无法同时满足三个段的性能，最后只能折中让那么一两个点合格但不是最优。我想问的很多
1.最终输出10dBm，IC里一系列信号下来通过PA前功率会是多大呢？
2.集成在IC里的PA是由晶体管构成还是MOS管？只有一级放大吗？
3.有想找一种5G-6G的MOS管模型自己试着学一下，但是找不着，那他们都是用什么来设计的呢？
4.WIFI内置PA，手机外置PA这种功率相对小的都使用什么模型设计的集成电路？那基站PA、医用PA这些都是用运放和大功率MOS构成吗？
5.三级管、场效应管、运放，在基站的功放中，场效应管用的多还是运放呢？
不好意思知道的太少，可能问的基本的都有问题，希望大家帮我理一理，让我不再这么糊涂，谢谢！

前级IC的输出功率需要查器件手册，不同型号会有不同。IC内部PA都是由MOS管构成，现在CMOS工艺是主流，双极晶体管工艺几乎没有在生产了。至于说有多少级放大，这个你得拿到IC内电路，肯定不止一级，但其实你根本不必关心这个，看手册知道输出参数就可以了。高频集成电路有专门的EDA软件，如果你不是半导体行业的完全不必关心，也不存在什么“模型”，理论上跟宏观电路没有质的差别，只是尽量用有源器件代替无源器件并尽量避免使用电感和电容。不论是手机还是基站的PA，现在都是用CMOS工艺制成。

感谢。若现在的射频功放都是由半导体行业设计好的，那除去那些大功率功放，现在做PA的都是直接将集成好的IC拿来加上自己的匹配或外围直接用吗？另：我找不到5-6G频带的场效应管，是因为没有、只有集成好的运放那些？还是我找的方式不对？

现在的PA都是集成的，这是技术进步和成本控制的必然结果。分立的微波段场效应管现在已经很难买了，而集成的也不叫“运放”，虽然运放也有高速和大功率输出的，但运放的用途和PA是两码事，内电路有很大差别。

谢谢。问一下S参数，回波损耗S11=-20lg|S11|，插入损耗S21=-20lg|S21|，我想的是作为系数的S11和S21都大于0小于1，那换算成dB都大于0了？RL越大越好，那ADS仿真中的S11(dB)经常看都是负值多少去了，越小越好？ IL无源时是插损，越小越好，有源时又是功率增益，越大越好？ 不好意思，能告诉我哪儿理解错了吗？

这个有什么用 我手机都跟不上 这个速度