双栅场效应管 ----- 可控增益放大器的最经济选择

双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极，在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，其中两个栅极是互相独立的，使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。

双栅场效应管是一个管子中有两个控制极。从结构上看可以认为是两个单栅场效应管的串联，增加了第二栅极g2，它具有一定的屏蔽作用，使得漏极与第一栅极之间的反馈电容变得很小，

下图所示是双栅场效应管高频放大器。双栅场效应管高频放大器从结构上来说可以认为是共源-共栅放大器的形式。值得注意的是栅g2的电压时可以改变场效应管正向传输特性曲线的斜率，从而改变高频放大器的增益。

下图为BF998的传输特性

从图可见，其两个栅极对增益的控制是非常好的。

以下是它的典型应用（800MHz）：

发现EE有这方面的资料：
《双栅场效应管混频电路设计》
http://dl1.eeworld.com.cn/fd.php ... zdwOHk4dXlqQit0b2c=

感觉就象似曾相识的电子管

是的。电子管很容易做成多栅极。这种管子也是在电子管电路的启发下产生的。
但现在多双门极管比当初的电子管性能好得多。

也可以说是像 cascode拓扑，
电子管可以造到五栅（也许还可更多）极，也似乎仅止于栅极，但半导体的多极结构却通常用于逻辑电路。

电子管的各个极名称不同，但除屏（或板）及阴极外，其他都是控制极，
半导体有源器件，如果作模拟器件之用，双栅有好效果，如果栅（控制极）数更多又如何（又有否必要），似乎还没人研究过。