为什么我的发热利害呢？

如图，我用20KHZ的方波驱动IGBT，为什么IGBT发热很严重呢？按道理，这个IGBT是1200V/25A的，我的电压也就20V/800mA，是哪里有问题呢？是与谐振有关吗？求各位高手帮手指点一下。

导通不充分！截止不彻底！在线性区停留时间太长！是驱动电路的问题？

我是正15V，-5V的方波啊。
另外，我把IGBT换成场效应管也试过，MOS管也发烫利害。
求各位大侠支招啊。

可以采用图腾柱电路！降低驱动内阻，减小在线性区的时间！

我是用的这种驱动，并且PNP管的集电极我是接到-5Vr

接到-5V，比地还低，以便充分截止。

那么你是不是没有用散热片呀？

太少了。线圈是干什么用的？

我的线圈圈数够多了，再多就不行了，传送不了了。
我改用MOS管，但MOS管也烫得利害，就算加一个大的散热片，也是同样的，不知是什么原因。

你要传送什么？线圈参数是你自己计算的吗？谐振频率是多少？
试一试改变频率（提高）如何！

发热的原因：

1.导通损耗

2.开关损耗

这就要求：1.驱动波形要好。使开通和关断时损耗小

2.开关器件本身的Rdson要小

3.外部的散热要做的好

你看到了波形，请把你的示波器尽量调小，看电压的上升波形，直到你能清楚的看到米勒效应，仔细分析的驱动波形，看是否需要更改你的驱动电阻。

请仔细计算你的损耗，然后看目前的散热设计是否合适。

不同频率的工作状态，所选择的IGBT应该是不一样的，请检查你的选型是否合适。