sentaurus GaAs FETs 瞬态仿真

在 pHEMT 瞬态仿真时，遇到以下几个问题。（1）在 sdevice command 文件中，parameter 必须设置吗?如果不设置，sdevice 会智能寻找相应材料的 parameter 吗?还是用硅的参数?
（2）如果仿温升的话，热导率和热容等参数是否需要校正?这些参数默认好像都是常数。
（3）使用parallelization 并行是否会影响收敛性?
（4）sdevice 能否中断后继续接着运行，好像有个 save/load，但试了一下，没成功，可能没设置好。
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请问小编的问题解决了吗?能否分享下经验。非常感谢~

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