可控硅过电流的原因及保护方法

产生过电流的原因多种多样，当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。由于晶闸管的过流能力比一般电气设备低得多，因此，必须对晶闸管采取过电流保护措施。　　闸管装置中可能采用的几种过电流保护措施：　　1、交流进线串接漏抗大的整流变压器利用电抗限制短路电流，但此种方法在交流电流较大时存在交流压降。2、电检测和过流继电器电流检测是用取样电流与设定值进行比较，当取样电流超过设定值时，比较器输出信号使移相角增大或拉逆变以减少电流。有时须停机。3、直流快速开关对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合，可采用动作时间只有2ms的直流快速开关，它能够先于快速熔断器断开而保护了晶闸管，但价格昂贵使用不多。4、快速熔断器与普通熔断器比较，快速熔断器是专门用来保护电力半导体功率器件过电流的元件，它具有快速熔断的特性，在流过6倍额定电流时其熔断时间小于工频的一个周期（20ms）。快速熔断器可接在交流侧、直流侧或与晶闸管桥臂串联，后者直接效果最好。一般说来快速熔断器额定电流值（有效值IRD）应小于被保护晶闸管的额定方均根通态电流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同时要大于流过晶闸管的实际通态方均根电流（即有效值）IRMS。

经常接触可控硅，有些负载过大或常时间运行会常烧可控硅，再一个就是可控工作温度高会失去控制，待温度下去又恢复正常。

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现在随着IGBT的出现  可控硅的应用也越来越少