IGBT及驱动电路

最近要设计一款IGBT的驱动IC，学习了大部分的驱动电路。偶有心得，总结如下：

1、IGBT工作于大电流大电压的状态，这就要求其开关特性要好。尽量让IGBT工作在这种状态，I*V最小。换句话说，当有大电流时，CE压降最小，当有大CE压降时，电流为零。在大VCE压降，电流接近零(mA级），比较容易实现。但是在大电流时，其VCE压降总是有12V的压降。IGBT导通时，动不动就有几十安培的电流，这样算下来，其本身的功耗在导通时有上百瓦。所以大家看到的IGBT都是大块头，主要是散热用。

2、在IGBT的驱动模块中，要维持IGBT尽量工作在前面描述的最小功耗区，则必须加很多的保护电路。

A、驱动电压VGE必须要是正负电压。一般来讲，正电压为15V，负电压为10V，负电压的目的是保证IGBT快速关断。要得到正负电源，实现方式有两种。电容泵或开关变压器方式。

B、开启一般可比关断慢。即常说的快关慢开对IGBT也是适用的。

C、要检测VCE压降。确保IGBT开启时，VCE压降在设定的范围以内。

D、当IGBT对管推挽输出时，驱动电路必须防止两管共通。

也欢迎跟专业的朋友补充。

说的相当好！过来学习下！

驱动电压的话，可以采用单电源和双电源两种形式的。日本所做的驱动模块大部分都是单电源供电。

驱动上的负压对加快关断没有作用, 主要是防止误触发