集成电路设计（2）
时间：10-02
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对于mos管必须掌握的几个公式和参数：
大信号公式：
漏极电流：
这个公式要分段讨论。
当VDS<vgs-Vt时，也就是MOS管工作在电阻区时，这个公式适用。
当VDS>=VGS-Vt时，也就是MOS管工作在饱和区时，将VDS用VGS-Vt代替即可。变为：
由此可知，MOS这个工作区，其电流大小与VDS基本无关。
其中μ是载体的迁移率，NMOS是电子导电，PMOS是空穴导电，电子迁移率是空穴迁移率的3倍，所以同样宽长比的NMOS和PMOS，当VGS一样时，PMOS的电流驱动能力约是NMOS三分之一。换句话说，当要达到同样的驱动能力，电路工程师在设计输出管时，PMOS管的宽长比要比NMOS大3倍左右。
学习下 感觉这样围绕一个知识点进行讲解的方式很棒