刚学模电，遇到问题。小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗？

模电书上都是这样定义的，三极管临界饱和时的管压降，临界饱和时Vce=Vbe，即Vbc=0，硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V，据此，临界饱和时的管压降应该为0.7V左右才说得通呀。
如果NPN管，VCE=0..5V,VBE=0.7V,按理说都是正向偏置，但是VCE大于0.3啊，那这算什么。。？
就没一本书上讲得透彻的。求高人指点。

Vce=Vcb+Vbe

典型值，这与半导体特性有关，随着温度的变化，整个电压的变化。可参考二极管的压降温度曲线

同问，哪位知道的高人请详细讲一下，谢谢

当Ib增加到使Vce下降到0.3V左右时不再下降，也就是说，饱和了。
硅管的发射结处于正偏时，Vbe最多能达到0.7V左右。除非你继续灌大电流把发射结烧坏，否则不会再变大了。
不知书上对放大区和饱和区有没精确定义，俺觉得两者的交接处是模糊的，并不需要很明确。事实是，处于放大状态的三极管在接近饱和区时已呈明显的非线性，没什么放大意义了，人们不会这么用的。说“临界饱和时Vce=Vbe”没错，可以理解为“临界饱和”≠饱和，但接近饱和，就对了。想起毛太祖的词“不似春光，胜似春光”，模糊的境界是很美的。

等待高人来解答。。。

0.5V 才是真的临界饱和，完全饱和时Uce≦0.3V，而Ube的门限是0.35V。

同问。。。 哪位高人来回答哦

我学习了上面两位大师的讲解，瞒不多的！