为什么早期的MOS元件以NMOS组合居多？
时间：10-02
整理：3721RD
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我们知道,MOS的种类普遍的有NMOS和PMOS两种,但是在CMOS(互补式金氧半导体,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的使用还不普遍以前,NMOS是最被使用的MOS元件.
电流载子(Carrier)在电场下的移动,主要是以漂移(Drift)的方式来进行.而电子(Electron)在电场下的迁移率通常比电洞(Hole)的高,以硅为例,电子的Ue为1500cm^2/V.s,电洞的只有450cm^2/V.s,所以在同样的设计下,NMOS(以电子为传输)元件的速度将比PMOS(以电洞为传输)的来的快一些.因此,为了提高元件的操作速度,早期的MOS元件都是以NMOS为主来设计的.
载子的迁移率(Mobility) U=(q*tc)/m, 其中q为电荷,tc为平均自由程(mean free time),m为有效质量.
电流载子(Carrier)在电场下的移动,主要是以漂移(Drift)的方式来进行.而电子(Electron)在电场下的迁移率通常比电洞(Hole)的高,以硅为例,电子的Ue为1500cm^2/V.s,电洞的只有450cm^2/V.s,所以在同样的设计下,NMOS(以电子为传输)元件的速度将比PMOS(以电洞为传输)的来的快一些.因此,为了提高元件的操作速度,早期的MOS元件都是以NMOS为主来设计的.
载子的迁移率(Mobility) U=(q*tc)/m, 其中q为电荷,tc为平均自由程(mean free time),m为有效质量.
谢谢楼主的分享...........
不看还真的不知道是这样的！学习了！谢谢！
DS的耐压普遍最高30V，一般不太敢用，怕坏