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MOS 管驱动电路总结

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS 的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。

下面是我对MOSFET 及MOSFET 驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS 管的介绍,特性,驱动以及应用电路。

1,MOS 管种类和结构
MOSFET 管是FET 的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P 沟道或N沟道共4 种类型,但实际应用的只有增强型的N 沟道MOS 管和增强型的P 沟道MOS 管,所以通常提到NMOS,或者PMOS 指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS 管,不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS 管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS 为主。MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。

在 MOS 管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS 管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。

2,MOS 管导通特性

导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。

NMOS 的特性,vgs 大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V 或10V 就可以了。

PMOS 的特性,Vgs 小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC 时的情况(高端驱动)。

但是,虽然PMOS 可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

3,MOS 开关管损失

不管是 NMOS 还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率MOS 管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。MOS 在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS 管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4,MOS 管驱动

跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS 管导通不需要电流,只要GS 电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
在 MOS 管的结构中可以看到,在GS,GD 之间存在寄生电容,而MOS 管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS 管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V 或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC 大的电压,就要专门的升压电路了。

很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS 管。

上边说的 4V 或10V 是常用的MOS 管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS 管用在不同的领域里,但在12V 汽车电子系统里,一般4V 导通就够用了。

MOS 管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip 公司的AN799 Matching MOSFETDrivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。

5,MOS 管应用电路

MOS 管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。

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