mosfet irf3205 并联不均流
电路中没有短接，查过。 我怀疑是并联不均流引起的。
有高人遇到过这种情况吗？如何解决。谢谢！
如果并联电路没接错，那么你有新定律发表了。
用万用表量一下，确认是不是电流分配不均匀的问题，因为导通时等效的电阻很小，只要各支路的阻抗差一点，上面的电流就是几倍的关系。
当时想的是很好的，没想到会这样，郁闷
好的，我试试，有结果我会及时反馈。谢谢回答！
并联凭啥会均流呢？
还有“横流区域”是啥？
并联的时候有一个电流分配的问题，谁的多谁的少的问题。
恒流区，是这个词。
MOSFET参数的均一性没那么好，要定量控制“恒流”怕是不太容易吧，把电路图亮出来讨论如何？
其实说起来很简单，只不过很少有人这么用而已。mosfet用在恒流区，猫兄可以看看他的pdf，没记错的话实在前几页，有个曲线，电流在那个区域基本恒定，我就是通过控制gs的电压来控制id的电流的。恒流可以做到，毋庸置疑。
IRF3205是75A大容量管子，PDF上的那些图画的也是100A上下的曲线，而且只是典型参数，没有数值保证，想要在开环情况下控制到3A谈何容易？除非另接有反馈电路。如果有反馈电路，那么不是一句话能说得清楚的，不看着图就没法讨论了。
再说，既然IRF3205有≧75A的连续电流容量，何必还要均摊这区区3安培？莫非说的不是这个型号？
我这里面有一个pi，我用的pdf是alldatasheet的irf3205资料。贴个图上来,篇幅有限，这是2个并联的图。四个的结构和2个的一样，再加两个就ok。
前面提到的问题是这么出现的，33k那个电阻，我误焊为8。3k了，所以就出现那个问题了。我换过来以后，除了基本上各个管子的温度差不多了。
但是当整个电路流过8A时，每个管子2A，发热很大，我测了一下，GS电压3.4V，ds电压10V，发热量很大，按你说的不应该这么热的啊。
像你说的一样，确实4.5v以下没有数据支持。
10V×8A＝80W＝一只大功率白炽灯泡，确实会滚烫。
只有一部分电路，看不清咋分配电流的，也不清楚负载要求的是电压源还是电流源。
何不考虑用一只管子做PWM降压，如需电流源则另用一只管子控制电流，这样不会发烫。
10v没错，但是8A是4个分配的，一个2A左右，20w也够呛啊。
我这玩意就是给电池放电用的（12v电池要求恒流放电），所以电源就是实验的时候模拟一块电池。降压斩波考虑过，那会有断流的现象，我是为了恒流才选这个方案的。这么控制发热应该是在所难免的了，关键是怎么散热了。
ea就是一个控制信号，让管子工作在横流区域。电流分配那个事儿我估计发热量都差不多，就应该算是平均了吧！微小差异总会有的。我这次布板子的时候已经很对称了。这个话题可以告一段落了。
谢谢猫兄支持。
看见楼主在11楼给出的图和数据后，问题就清楚了：
半导体器件参数的离散性（不一致性）是设计中必须考虑的，多只管子并接，当然谁的内阻小，谁也就“贡献”大（电流大），就最热（V2/R），如果再工作在极限状态，那么最终第一个被烧坏的可能也就是它。
其实这种并联运用是很普遍的，通常的工程解决方法有两点：第一是个笨办法：删选，尽可能使用参数一致的管子（很难的）；第二就是搞些折衷---加接均衡电阻，就是每只管子都要串接一个（经过计算的）适当的电阻；同理，在使用多只管子串接时，就要接并联的均衡电阻了。
如果都不行（或不允许），可能就要考虑加强散热等的工艺手段，或者更换管型了。
您说的这种办法我也考虑过，但是我要做的每只管子的电流有2A，而且是工作在恒流区，ds电压限定了，在6v左右（也就是后端负载和管子分压）这样一个管子上的功耗就很大，如果加限流电阻，要求功率就得很高，如果加零点几个欧姆的达不到限流作用（但是这时候电阻的功率就要求8W左右）如果加大一点儿的，1---2欧姆的，I^2*R算一算很大，好像很难买到满足要求的电阻，而且是在印刷电路板上。更难。我现在考虑的1、找一下大功率三极管看能不能有更好的解决办法2、加散热系统，我现在这个小盒子散热片肯定是不行了，1分钟的时候盒子烫手，更不可能长时间为电池放电了。
感谢纯净的硅的真诚回答！
又想了想，一件事情不是很明白，我错把8.3k焊成33k，为什么会引起分流不均呢！ 换句话说，g端的电阻对分流有多大影响？
xiaoxif先生说的两种方案都是工程上很实用的，就是要：均衡。
这里的主要矛盾已不是恒不恒流的问题，关键在于如何均分总电流，由于器件的离散型，开环控制G肯定没戏。这样的控制器只做一台调巴调巴或许能凑合，做1000台上流水线咋办？
多谢！呵呵～
问题在于，FET的漏极电流跟门-源电压（或LZ说的G端电阻）之间的关系没有定量的制约式可用，那些图表都只是些定性的东西。
楼主说可以终止这个讨论了（见在15楼的回复），可我觉得没有真正完结这个讨论，想法如下：
1、如果这是个电池放电器的设计，可能会存在一个设计基本思路的问题；
2、此前并没有得到一些关键性的参数，例如电池的恒流放电的电流和终止放电的参考电压（虽然在这里不重要）；电路图上很重要的一个电阻（实际上是放电回路的DUMMY--假负载）的阻值，等等；如此终止，岂非让大家成了摸象的盲人？
3、图纸不全，好多关键的被省略掉了，例如，按现在的电路图，那只三极管形同虚设（因为它始终是饱和导通的，）这也是电阻（33k，图上是30k）焊错了导致偏压变化的原因，等等。
笔者以为，这里有许多值得探索的内容，包括设计基本考虑的和具体电路的，等等。就此终止，实在有点遗憾和扫兴？
因此如果可能，希望给出准确的图纸，继续讨论。
两个具体问题：
1、楼主问：“又想了想，一件事情不是很明白，我错把8.3k焊成33k，为什么会引起分流不均呢！换句话说，g端的电阻对分流有多大影响？“
你给的电路图中，没有出现这个阻值，按上下文的关系，估计是和电容并联的那个30k电阻。如上，那只三极管的E通过100k电阻接到-12V，而B连接的电压最低为0，因此这个管子始终是导通，而且是饱和导通的，这就形成了有33(8.3)K电阻和100k电阻分压的FET-G的偏压电路，改成8.3k以后，达到加强FET-G的偏置，通过控制电流，达到降低FET-DS间的等效电阻，可能会得到Pd下降的结果。（因为电路不全这里是趋势性的判断）。g 端的电阻对分流有多大的影响？本质而言不是电阻，而是电阻变化对偏压的影响。对管子的控制全指着这个电压的。
2、望能修改图纸中的负载、电源画法，这样的示意图画法完全可理解为电池+-->电池- -->负载-->地（当然不是这么连接的）
。
我非常理解仙猫先生几次希望见到图的要求，原因很简单：”图纸是工程师的语言“。
通过三位的讨论我学到很多，谢谢
有道理，我觉得如果每一路都加上一个限流电阻，可能会有所帮助
确实是这样的。
1、我做这个东西的初衷就是做一个恒流放电装置，实验室自己用。没打算投产，主要是为了测定电池参数。
2、我今天又做了一些实验，其实就是mosfet和负载在进行分压，如果mosfet上分压大，mosfet就会发热大，正确调节负载电阻（我用一个30A可变电阻器）可以缓解发热的问题。
对于两个具体问题
1、很感谢你的耐心解答，我能理解你的意思。谢谢。确实是我的疏忽，造成了不该有的问题，30k那是图上的标记，手头只有33k就用了。
2、对于图的画法，确实有待改进。由于要采样，所以控制地和负载的地不共地。
至于图纸，我能理解两位的苦衷。能为我解决到这个程度已经感到万分感激了！
图纸实在不方便公开敬请谅解，但是大概思路可以分享。
将采集到的电流通过一次放大，另外还有电流的给定，有电位器调节，然后进行pi调节，最终将信号控制EA，完成整个过程。
斑竹谦虚了
前面没注意是恒流的线性区，如果饱和考虑的就是Rdson，如果线性区就是等效电阻
就是电子元器件的分散性，这个问题普遍存在
每个MOS的热阻严格意义上并不完全相等
随着温度的上升，器件参数是变化的，特别是等效的电阻
是因为你的MOS管控制和管子本身特性差异的问题，因为在MOS放大区很窄，控制电压相同而D脚电压不同，要是做得是 横流建议用三极管控制比较好些，否则就是驱动电压不够导致MOS管道通不充分