高灵敏度单向可控硅的误触发问题

高灵敏度单向可控硅与阻性负载串联，（因为控制电路只能提供微弱的触发信号，只能选用高灵敏度的单向可控硅）
220AC经整流后用可控硅控制通断，可控硅最大通态电流10A左右

现在用MCR72 {MCR72的Igt〈=200uA} 控制100W的阻性负载
，可控硅误触发现象很严重，一上电不加触发信号自动导通，也不可以正常过零关断，在可控硅两端增加RC吸收电路会有效果吗？

是受dv/dt的影响吗？220VAC整流后的dv/dt没有这么高吧？
（dv/dt是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。
此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A与G之间会存在寄生电容，
dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发。）

希望有这方面的应用经验的前辈指教一二。

在G与K之间并联一个适当的电阻就可以控制触发灵敏度！

有两点考虑请参考：

　　高灵敏度电路，特别是有丰富谐波的高频电路，的误动作往往出于工艺设计而非电原理图的问题，例如ＰＣＢ布板等，电原理图设计只要遵循器件的参数需求和设计注意就够了，在此提供一个实际的例子：早年我们做１２寸晶体管黑白电视的设计的时候，开始屏幕画面上存在严重的行干扰条纹．后来经过重新的ＰＣＢ设计（特别是行输出部分，那年头是手工绘制的），问题迎刃而解，这正是所谓＂工艺乃电子工业之本＂道理所在．
　　第二，技术问题的阐述，最好的形式是图，可否提供电原理图？