如何用三个MOS实现小信号控制大电压的切换
这仅仅是个示意图。我想，这个功能通过三颗P-MOS可以这样实现：当中间的MOS管导通时（此时，从示意图看，下面的mos管也导通），COM点通过中间MOS就与下面的mos的连接上了，此时，由于下面的mos管也导通了，所以，COM就是DRN电位了。当中间的MOS管不通时（此时，从示意图看，下面的mos管也不通），此时如果上面的mos管导通（它还受控于其他引脚的电位），COM就是SRC电位了。
这个问题很简单的，你可以先去看看反相器的工作原理，再来看这个电路就简单了，
我对这个电路提出点问题 ，中间的那个ＰＭＯＳ管的衬底连的是不是有问题？
输入的小信号高电平为2.5V,低为0.而SRC,和DRN的电位在10V以上,2.5和0相对于10V都是低，即Vgs〈 Vth ，我觉得都会导通的啊，为什么？
SRC、DRN对COM的电压是1000V又有何妨！？只要MOS能承受。三个MOS管的Gate极和这个高压没有联系呀，也就是Vgs与这个高压没有关系！站在高压线的小鸟能被电死吗？电位是相对的。采用不同的基准点谈电位有意义吗？！！最基本的概念，不可以不知道。知道了，不理解也没有用。希望大家真正搞懂电压、电流等基本概念和实质，否则，会问题百出的。
当然，这个示意图的com点是两种电压的共用点，若概念不清楚，易引人误入歧途。但要记住：只有PCOM的G的电位低于S的电位，管子才可能导通。而G和S的电位差（电压）不受外接高压的影响呀！
没有问题的。
还是不了解！不好意思！如你所说：只有PMOS的G的电位低于S的电位，管子才可能导通,对于Q1的G,变化在0V和2.5V之间，都是小于S的电位，所以Q1会一直导通，这样就不能形成一个电压切换的动作了啊？也许我理解有误，请指教！Thank you！B/R
1.你怎么知道“Q1的G,变化在0V和2.5V之间”？2.假设Q1的G,变化在0V和2.5V之间，你又怎么知道“都是小于S的电位”？！从你提供的示意图来看，我无法得到你的结论。
三楼的兄弟答案有新意
不好意思 我的看法和hjyouth一样首先 该芯片工作电压是3.3v 故G点电压不可能超过这个电压接着 不管怎么样 上面MOS管 或者中间和下面的MOS管 总有之一是导通的，只要导通，COM点电压就大于10V！！当然这些的电位都是参照地的（一般我们也这样做）不知道说得有没问题还有本人最近在找控制电压小于输入输出电压的 多路模拟开关 不知道大家有没什么推荐
"该芯片工作电压是3.3v ,故G点电压不可能超过这个电压"----这个结论是如何得出的？难道这个芯片内部不可以有电压转换电路吗？难道不可使G电压为负值？。。。这只是个示意图，要根据功能来分析，不可以“武断”的。