简单解释一下主流光刻技术

简单解释一下主流光刻技术-光刻是指将集成电路图形从掩膜版上转移到硅片上的工艺过程

光刻技术是集成电路的关键技术之一
　　在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％

　　光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的
　　进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。。

光刻系统的组成：

　　　　光刻机（曝光工具）
　　　　掩膜版
　　　　光刻胶

主要指标：

　　　　分辨率W（resolution）-> 光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸
　　　　焦深(DOF-Depth Of Focus) -> 投影光学系统可清晰成象的尺度范围
　　　　关键尺寸（CD-Critical Dimension）控制
　　　　对准和套刻精度(Alignment and Overlay)
　　　　产率(Throughout)
　　　　价格

其中，W是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。
其由瑞历定律决定：　R = k1r/NA ，　其中　r 是光刻波的波长。

提高光刻分辨率的途径:

　　　　减小波长r, 其中，　光刻加工极限值：r/2 , 即半波长的分辨率
　　　　增加数值孔径
　　　　优化系统设计（分辨率增强技术）
　　　　减小k1

主流光刻技术:
248nm DUV技术（KrF准分子激光） -> 0.10um 特征尺寸
193nm DUV技术（ArF准分子激光） -> 90nm 特征尺寸

新一代的替代光刻技术:
Immersion 193nm技术
157nm F2
EUV光刻 紫外线光刻
电子束投影光刻
X射线光刻
离子束光刻
纳米印制光刻

光学透镜
　　　　透射式透镜（248nm、193nm)
　　　　反射式透镜（157nm）

掩膜版
　　　　由透光的衬底材料（石英玻璃）和不透光金属吸收层材料（主要是金属Cr）组成。
　　　　通常要在表面淀积一层抗深紫外光损伤的增光型保护涂层

分辨率增强技术(RET):
　　　　　Step-Scan 技术
　　　　　偏轴照明(OAI)
　　　　　邻近效应校正(OPC)
　　　　　移相掩膜(PSM)
　　　　　具有化学增强放大功能的快速感光光刻胶
　　　　　光刻胶修剪(Resist Trimming)
　　　　　抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶

谢谢楼主分享!!

我有些不太专业，请问楼主，现在的集成电路工艺大都采用的都是光刻技术么？还有其他的么？相互的比较是什么？辛苦啦，谢谢

谢谢了 有空研究研究

nihao

光刻技术现在分几种？谢谢

xie xie

受教

你好，我有0.5英寸的数字微镜表面出现了小亮点，可以修复吗？

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