去耦电容器

一般地，集成电路IC，电源IC管脚去耦电容基本以0.1uF为主，
小容量电容如0.1uF电容通常为芯片的去耦电容，即滤除电源上的高频噪声，
大容量电容一般会提供一个瞬态电流，具有缓冲，减小电源瞬变和跌落的作用

这在前些年芯片集成度低、速率低时是没有问题的，楼主所提到的2.2UF 1NF基本属于小容量电容范畴

究竟选择多大的去耦电容，与芯片内部逻辑器件转换速率及时钟频率等等都有关系，
对强干扰器件和敏感器件如时钟芯片、DDR、晶体、晶振、锁相环等等还会再加上 1NF（1000pF）电容（谐振频率160MHz左右）和0.1uF电容并联，用以拓展滤波频段，滤除电源上的高频噪声，滤除电源上的高频噪声。

如果产品有EMC认证要求的，在电源引起的电缆传导与辐射时，用加1NF电容解决。

帮顶一下，学习了

关键看电路中要对付的噪声频谱，不同频率范围的噪声需要不同容量的电容来对付，0.1uF只是常规数字电路适用，噪声频谱在数MHz到数十MHz，更高频率的噪声要用小容量电容，而更低频率的电容则要用更大容量的电容。一切按需而定，只是要知道什么是“需”。

那请问噪声频谱怎样得来呢？

但凡时序逻辑电路，系统内都有时钟啊……

请问使用25M晶振的芯片是否有必要使用1NF和10NF的去耦电容，使用0.1UF就可以了吗？

频率越高，需要的去耦电容容量就越小，前面已经提到了，数MHz至数十MHz的噪声频谱，用0.1uF的即可，数百MHZ的话，需要再并联一个百pF级的去耦电容。