PNPN结的介绍！

可控硅的基础是BJT，是BJT的进阶演化而不是集成物，
跟BJT一样，可控硅既为可控，就必须有控制端子，但相反，有控制端子的四层器件却不一定是可控硅，如果这个四层架构没有闩锁作用，则它就仍然是一只BJT！
集极有的，基极也有，这是Ie，但是，Ib中有的，Ic却没有，因此，BJT才成为模拟器件，而且，在正统的BJT中，Ib独有的载流子是不能从Vcc取得的，所以这个模拟器件的驱动或偏置全是由外源出力的，

低浓度掺杂的PN结，耐压颇高，反向漏电甚小，不过，当你在任何一端加上了发射极，这反偏结都能够大量导电（Ic），且看此图，左边是PNP，右边是NPN，中间则依然是反偏的PN结一个，啥都没加，但你会发觉，只要左路或右路通了，中路也会跟着有电流，
在此图中可以看出，中路其实也属于两管的集极，並且是两管基极的短路区，如果中路或两管集极电阻很小，则左右两路就不会有耦合，理论上，两管可各自独立运作（但无法串联），否则，这就是一只元件，BJT与SCR的基本原理相同，成为哪一个，取决于耦合程度。