有关晶振专业术语

2.1 振动模式
一般有弯曲、伸缩、面切变、厚度切变，对于1MHz以上的小型晶体主要是厚度切变，又分为AT切和BT切两种。
2.2 基频晶体元件
振子设计工作在给定振动模式的最低阶次上的晶体元件。
2.3 泛音晶体元件
振子设计工作在比给定模式最低阶次要高的阶次上的晶体元件，一般有3次、5次和7次泛音。
2.4 负载谐振频率偏置
△fL=fL-fr
2.5 谐振频率fr
在规定的工作条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个频率。
2.6 反谐振频率fa
在规定条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较高的一个频率。
2.7 负载谐振频率fL
在规定条件下，晶体元件与一负载电容串联或并联，其组合阻抗为电阻性的两个频率中的一个频率。
2.8 标称频率
晶体元件规范（或合同）指定的频率。
2.9 工作频率
晶体元件与其配合的电路一起工作的频率。
2.10 总频差
由于指定或多种原因引起的工作频率相对于标称频率的最大允许偏差。主要由调整频差和温度频差构成。
2.11 调整频差
在规定条件下，基准温度时工作频率相对标称频率的允许偏离。
2.12 温度频差
在整个工作温度范围内，相对于基准温度时，工作频率的允许偏离。
2.13 基准温度
一般指±25℃±2℃，对温控晶体元件是指控温范围的中点。
2.14 谐振电阻
晶体元件在谐振频率fr时的电阻值。
2.15 负载谐振电阻RL
晶体元件与一指定的外部电容相串联，在负载谐振频率fL时的电阻值。
2.16 激励电平
是一种用耗散功率表示的施加于晶体元件的激励状态的度量。
2.17 负载电容CL
与晶体元件一起决定负载谐振频率的外置有效外界电容。
2.18 动态电容C1
等效电路中动态（串联）臂中的电容。
2.19 动态电感L
等效电路中动态臂里电感。
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