大功率白光LED封装

大功率白光LED封装
  从实际应用的角度来看，安装使用简单，体积相对较小的大功率LED器件，在大部分的照明应用中必将取代传统的小功率LED器件。小功率的LED组成的照明灯具为了达到照明的需要，必须集中许多个LED的光能才能达到设计要求。带来的缺点是线路异常复杂，散热不畅，为了平衡各个LED之间的电流电压关系必须设计复杂的供电电路。相比之下，大功率单体LED的功率远大于若干个小功率LED功率总和，供电线路相对简单，散热结构完善，物理特性稳定。所以说，大功率LED器件代替小功率LED器件成为主流半导体照明器件的必然的。但是对于大功率LED器件的封装方法并不能简单地套用传统的小功率LED器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率，大的发热量，高的出光效率给LED封装工艺，封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。
  要想得到大功率LED器件就必须制备合适的大功率LED芯片，国际上通常的制造大功率LED芯片的方法有如下几种：
1.加大尺寸法。通过增大单体LED的有交发光面积和增大尺寸，为使流经TCL层的电流均匀分布需要特殊设计电极的结构一般为梳状电极，以达到预期的光通量。但是筒单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应
效果。
    ②硅底板倒装法。首先制备出具有适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，         
同时制备出相应尺寸的硅底板并在硅底板上制做出供共晶焊接的金导电层及引出导电层(超声金丝球焊点)。再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理，
既考虑了出光问题.又考虑到了散热问题，这是目前主流的大功率LED的生产方式。
③陶瓷底板倒装法。先利用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的
出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制做出共晶焊接导电层及引出
电层。之后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构考垃
了出光问题也考虑到了散热问题，并且采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热的效果非常
想，价格又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料.并可为将来的集成电路一体化封预留了安装空间。
④蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN
后，将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料.制造出上下电极结构的大尺寸蓝光
芯片。
⑤ AIGaInN碳化硅(sic)背面出光法。美国Cre。公司是采用sic衬底制造的AlGa
HB-LED, AIGaInN/SiC。芯片结构经不断改进.亮度不断提高。由于P型和N型电极分别位
于芯片的底部和顶部，单引线键合，兼容性较好，使用方便.因而成为AIGaInN- LED发展
的另一主流产品。
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