mt6735 NVRAM_EF_L1_CLOAD_FREQ_OFFSET_LID的作用是什么？
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[DESCRIPTION]
NVRAM_EF_L1_CLOAD_FREQ_OFFSET_LID的作用
[SOLUTION]
这个NVRAM存储是LOW power MODE（就是待机状态下）和FULL POWER MODE（正常模式下）之间的频偏。
它的作用是在32K less（也就是手机没有32K的晶振）时候low power mode下，把26M转换成32K，需要补偿的频偏初始值。一般在缺省32K晶振硬件的情况下，校准的时候才会写入，但是一般写了就不会变动了。它是根据正常模式下的校准值，跟26M晶振的极限值的差值产生的。
系统在从Full power mode 到Low power mode的时，会从NVRAM取这个频偏值。但是它只作为计算频偏时的一个初始值，因为系统实际使用的频偏值会再加上实际环境、温度等因素造成频偏数据。但是，系统不会修改NVRAM中的值。
只有进行重新校准时，NVRAM的这个值才会被改变，一般校准前后只会有微小差别，数值的合理范围在100~130K左右。
NVRAM_EF_L1_CLOAD_FREQ_OFFSET_LID的作用
[SOLUTION]
这个NVRAM存储是LOW power MODE（就是待机状态下）和FULL POWER MODE（正常模式下）之间的频偏。
它的作用是在32K less（也就是手机没有32K的晶振）时候low power mode下，把26M转换成32K，需要补偿的频偏初始值。一般在缺省32K晶振硬件的情况下，校准的时候才会写入，但是一般写了就不会变动了。它是根据正常模式下的校准值，跟26M晶振的极限值的差值产生的。
系统在从Full power mode 到Low power mode的时，会从NVRAM取这个频偏值。但是它只作为计算频偏时的一个初始值，因为系统实际使用的频偏值会再加上实际环境、温度等因素造成频偏数据。但是，系统不会修改NVRAM中的值。
只有进行重新校准时，NVRAM的这个值才会被改变，一般校准前后只会有微小差别，数值的合理范围在100~130K左右。