双SIM卡，独立热插拔，且支持3G switch，反复热插拔压力测试注意事项

[DESCRIPTION]
双SIM卡，独立热插拔，且支持3G/4G switch，反复热插拔压力测试，需要遵从以下注意事项，否则
会复制出很多莫名其妙不识别卡或者无法注册网络的问题。
[SOLUTION]
关于双SIM卡，且支持4G switch功能，需要注意以下事项，否则会导致sim task和AP rild SIM状态
紊乱，从而无法正确更新SIM的状态。
1、一个卡槽的卡插入后请至少等待1S再拔出卡，拔出卡后，请至少等待2S，在同一卡槽再插入。否
则会出现SIM状态错乱的情况。
两个卡槽之间的拔插间隔需要保证至少3S的间隔。
2、支持4G switch，当拔掉卡1的时候，卡槽2有卡的话，会通过reset Modem的方式，将4G信号切到
SIM2。
同样，当信号在sim2上，拔出sim2后，若卡槽1有卡，会通过reset modem，将4G信号切到卡槽1.
注：默认只有卡槽1出4G信号。
因此，当拔出一张卡，若出现modem logging is off的提示或者另一张出现搜网状态，请不要立即
拔出另一张卡，因为在modem 重启的过程拔插卡，都会导致SIM相关信息同步出问题。
待看到插入的那张卡的信号由禁网变成搜网再变成稳定的信号后再操作。
关于双卡独立热插拔的压力测试建议按照以下两种方案：
1、打开3G switch的情况：
1）对单一卡槽进行热插拔压力测试：即先测卡槽1，再测卡槽2（测卡槽2的前提为仅卡槽2插卡开机
，确保4G信号保持在SIM2，然后对卡槽2进行多次热插拔测试）；
2）两个卡槽交叉测试：必须按照上述1、2中的说明来测试：否则会导致sim状态混乱，固然会出现
识别不正确的情况。
2、关闭3G switch的情况：
此种方式测试比较简易，只需保证1中的热插拔间隔标准。