有关BJT充电方案的理解

各关于这个方案的理解如下和问题如下所示，望大家一起讨论学习！谢了！1、关于MOS管的作用，大家觉得这个MOS管放在这有什么作用呢，能不能把MOS管去掉，将图中的R513焊接为0Ω的电阻呢?
2、关于“CHR_LDO”这个LDO的理解，要是我把MOS管去掉是不是这个LDO也没有必要引出了?
3、这一点和上面两点有点区别，就按照这个电路使用，那么作为PMU的LDO输出端“CHR_LDO”为什么还要连个电阻（就是图中的R502）接到VBUS呢，这样结又有什么作用呢?
希望大家各抒已见，发表自己的看法，会的帮我们解释一下，不会的提出你们的见解，大家一起共同学习进步！
谢谢大家了！

BJT充电方案

人呢，这么没有人呢……！

由于主芯片输出的电平不够高，MOS管在这里起电压转换和隔离作用。
如果去掉MOS管后三极管将不能可靠截止关断。

谢谢你的回答，可是你说PMU输出的电压不够高，MOS管起到电压转换和隔离的作用，可是MOS管的漏极也没有上拉啊，电压怎么转换啊?隔离，为什么要隔离呢?

学习学习啊，支持

这个是有点小贵了！

隔离后能完全阻止充电，不隔离时能不能阻止我没测过，据说61省掉NMOS管后存在烧PNP的情况，所以最好别省，MTK参考也说不能省，现在有PNP+NMOS二合一的管子，封装小也便宜。