EMI配置（Flash，RAM等）

NorFlash&RAM配置的基本步骤：

ROMan">1、  Option.mak：确认平台选用MCP或者LPSDRAM的Device list.（例如：mtk08A选择的Device list为：memoryDeviceList_Since08Aw0820.xls）

2、  Flash_opt.h：确认选择的外部Memory，并且确认型号，通过型号可以查看相应的一些参数值，通过这些参数对程序的宏，变量，结构体等进行设置。

3、  通过Device list同样可以知道目前的系统Support哪些型号的MCP和LPSDRAM，如果要更换不同的厂家，型号，容量等就可以从Device list中去查找，选择好Device型号后，通过对应型号的参数对对程序的宏，变量，结构体等进行设置。

4、  设置文件及内容如下：

设置方法一：自动

设置过程：Perl运行emiGenv5.pl，通过custom_memorydevice.h，去搜寻MemoryDeviceList_Since08Aw0820.xls，然后自动产生如下的五个文件。

flash_opt.h,custom_emi.h,custom_emi.c,custom_flash.c, custom_flash_norfdm5.c,

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#define MEMORY_DEVICE_TYPE    NOR_RAM_MCP//Memory 类型

#define NOR_FLASH_TYPE_SPANSION_PL_N                     //memory 型号

const kal_uint32  EMI_EXTSRAM_SIZE = ((64)<<20)>> 3//外部RAM的大小

#define __MULTI_BANK_NOR_DEVICE__                     //对应的Nor的属性

#define CS0_PART_NUMBER       S71PL256NC0HAW5B//CS0 型号

#define CS1_PART_NUMBER       S71PL256NC0HAW5B// CS1型号

#define FLASH_ACCESS_TYPE     ASYNC_ACCESS    //Flash Access的类型

#define RAM_ACCESS_TYPE       ASYNC_ACCESS   //RAM Acess的类型

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默认情况：FAT 在Norflash的最后一个Bank（Last Bank）

#define FLASH_BASE_ADDRESS     (0x01C00000)//文件系统开始地址

#define ALLOCATED_FAT_SPACE    (0x00400000)//文件系统大小

#define NOR_FAT_PARTITION_SECTORS 0//Norflash文件系统中给USER使用的//Sector数(512Byte/Sector)

#define PARTITION_SIZE (0) //Nanflash文件系统中给USER使用的Sector数, //(512Byte/Sector)，如果不是NandBoot就设置为0

FLASH_REGIONINFO_VAR_MODIFIER FlashRegionInfo RegionInfo[] =

{

   {0x40000,15},

   {0x10000,4},

   EndRegionInfo /* Don't modify this line */

};                                                      //Last Bank的Block结构定义

#define TOTAL_BLOCKS          19//Region 的总的Block

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#define __PAGE_BUFFER_PROGRAM__//定义是否支持PBP（Page Buffer Program）

#define BUFFER_PROGRAM_ITERATION_LENGTH  (32)//program Buffer的大小

/*For low-cost (Flash size targetted at 16Mbits) single-bank NOR-flash solution, where partial of NVRAM is shadowed at RAM.*/

SINGLE_BANK_NOR_FLASH_SUPPORT = FALSE

/*For single-bank NOR-flash solution without shadowed NVRAM requirement.*/

ENHANCED_SINGLE_BANK_NOR_FLASH_SUPPORT = FALSE

LOW_COST_SUPPORT  =  NONE                 // 是否支持小容量Memory

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#elif defined(MT6225)//定义Memory List中的Asynchrnous Driving Setting

#define EMI_GENERAL_CONTROL_0        0x40008000

#define EMI_GENERAL_CONTROL_1        0x739c739c

#if defined(MT6225)// Asynchrnous EMI Setting (Maximal MPLL)

const kal_uint32   EMI_SettingOnCS[4] =

{

   0x40514648,

   0x40514808,

   0,

   0

};

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//#define __NOR_FDM5__       //custom_memorydevice.h,定义是否使用FDM5功能

MTK NOR FDM is upgraded to 5.0 from 2006/Q3 to support large NOR-flash disk (multi-bank), for example, disk space larger than 64blocks（指的是FAT的总Block数）.

NOR FDM 5.0 and NOR FDM 4.0  主要区别如下：

1. RAM consumption：To manage 32MB INTEL M18 NOR-flash disk, FDM 5.0 consumes 1KB,but FDM 4.0 takes 32KB.

2. Addressable block numbers：The addressable space of NOR FDM 5.0 is 65K-1 blocks, but NOR FDM 4.0 is limited at 128-1 blocks.

3. Idle reclaim and manual reclaim are implemented on NOR FDM 5.0.To enable NOR FDM 5.0 on NOR-flash disk, please enable the following definition and customize custom_flash_norfdm5.c; the option is switch on/off at customer site without deliver new library.

[REMIND] To manage small disk space, like smaller than 64 blocks, FDM 4.0 is recommended.

FDM的设置步骤：

1.       在custom_MemoryDevice.h中添加“#define __NOR_FDM5__”。

2.       编辑custom_flash_norfdm5.c，编辑方法如下。

3.       clean 并 remake “custom”模块。

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设置方法二：手动

设置过程：手动编辑New时自动产生的5个文件如下，编辑方式见上文：

flash_opt.h,custom_emi.h,custom_emi.c,custom_flash.c, custom_flash_norfdm5.c,

然后clean并remake“custom”模块。

注意点：

        手动设置会出现Code和FAT公用一个Bank的情况，此时修改方式如下：

1.            即使外部使用的NorFlash为Multi Bank，上文介绍的编译开关ENHANCED_SINGLE_BANK_NOR_FLASH_SUPPORT或者SINGLE_BANK_NOR_FLASH_SUPPORT需要打开。

2.            当设置了SINGLE_BANK_NOR_FLASH_SUPPORT时，则需要设置SNOR_ERASE_QUEUE_SIZE的值，表示在FAT中预留的Block数，此时FAT的大小变成：

ALLOCATED_FAT_SPACE-(SNOR_ERASE_QUEUE_SIZE×Max Block Size)

3.            当调整FLASH_BASE_ADDRESS和ALLOCATED_FAT_SPACE后，对应的RegionInfo和BankInfo需要相应调整，详细说明如下。