微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 无线和射频 > 天线设计讨论 > 倒F天线设计

倒F天线设计

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
各位大神好,我想请问一下,在李明洋HFSS中的倒F 天线设计那一节中,提到倒F天线的演变过程,也就是从单极子到倒L天线在到倒F天线,其中说到倒L天线的上半部分平行地面,增加了天线的容性,这是为什么呢?还有对其改进的话,演变成倒F天线,在拐角处增加了一个倒L性贴片,这又是什么原理呢?求解答,

个人理解。所谓增加容性指的是天线输入阻抗容性增加,也就是虚部变小。具体原因可以用多种方法分析,如果只是做应用,不做理论的话,只记住结论就行了。倒L型贴片是一个阻抗匹配的手段,目的是将输入阻抗匹配到50欧姆。但是这样做也会有很多副作用,比如方向图会变化,天线效率会受影响。很多文章提出了一些变形的结构来达到想要的结果。

个人理解:从单极子到倒L,天线的一臂被折弯,与另一臂即PCB板平行,它们正对的面积增大。我们说实际的电容是两个金属板中间加介质进行制作的,那么电容和以下参数有关,C=介电常数*S/d,其中S是两个金属板重叠区域面积,d是金属板之间间距,C与S成正比,与d成反比,介电常数为中间填充介质的介电常数。
     那么等效到倒L天线,两个臂正对面积增大,则容性增强,为了减少它的容性,通过变成IFA,多一支对地,等效为并电感,这个在仿真和实验中都可以验证,从而使得天线在某些频段从容性区向感性区移动,最终达到匹配。

谢谢两位大神,谢谢,很有收获

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top