关于提高天线阵增益的问题
考虑加载一些结构来提高增益，进展不太好。
现在请教一下各位前辈，如果用不等幅馈电，压低副瓣，能提高天线增益么?以前问一个师兄，他说不可以。没有说原因。想问一下各位，是为什么。
不等幅不是该降低增益吗
幅度均匀分布时，增益应该是最高的。
嗯，原来是这样，可是如果电流不等幅分布，副瓣低的话，主瓣增益不会此消彼长么?
副瓣低了，主瓣的波束宽度会变宽的，增益提高不了的。
问题描述不清楚。首先是固定口径还是固定单元个数?阵元间距是多少?普通微带在增益达到一定值之后就由于馈电网络的损耗增益开始下降。有多种方法提高增益，没有口径要求可以适当的增大口径，也可以减少馈电网络损耗，可以加特殊的匹配覆层。具体问题具体分析。
用介质加载的天线单元增益可以达到9.5左右，且在一定频带内具有良好的增益与驻波带宽，组成阵列后的反算单元增益也较一般单层微带天线单元高1，但介质加载单元一般考虑带状线缝隙耦合馈电的单元及阵列结构。
一般的微带阵列天线单元间距在0.75到0.85倍的波长之间。等幅同相的情况下增益理论最高。但微带线间的耦合对于幅度和相位影响还是比较大的，尤其在相位不一致的情况下，增益下降很快。一般来说做到馈电网络在中心频点的相位一致性在10度以内的话，性能还是能够保证的。
小编说的实际上是个效率问题，在布阵形式确定的情况下，看哪种馈电形式阵列效率高。等幅同相馈电时效率最高，理论上为1，不等幅同相时，会得到较为特殊的波束波形，但都是以牺牲效率取得的。
小编，问你一下啊“即在不考虑耦合情况下，64元增加18dB”想问问你这个多少阵元增益应该增加多少是怎么算出来的呢?具体的那些书籍上有介绍呢?谢谢了
请问小编若是等副同相激励，阵列的增益增加对所有天线都是适用的么?
那如果是2元阵，增益会增加多少呢?
最近在仿一个微带漏波天线，发现2元阵的增益没有增加，很疑惑
固定了口径 单元间距取了0.5波长 64阵元 所以应该没办法增加口径和单元数目。
减小馈电网络损耗具体怎么做?设计用的就是最基本的微带功分馈电网络，等幅激励。
匹配覆层的问题，我试了直接加载介质，有一定提升。但效果还是不明显，而利用EBG或者部分反射表面，具体设计中也都尝试过了。效果不是很理想。还想请教一下，这里提到的匹配覆层是什么意思?
谢谢
简单算一下，天线同相等幅，相当于原有增益×2 就是增加了3dB。以此类推
具体不清楚不敢乱说，我觉得如果很理想的情况应该是适用的。漏波天线如果是类似波导缝隙天线的设计来说，缝隙个数增加，保证单元间距，应该会增加增益把。